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Applied Physics Letters
87巻
2号
Applied Physics Letters 87巻 2号
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ID (降順)
Fabrication of field-effect transistor device with higher fullerene, C<sub>88</sub>
著者
Nagano, Takayuki
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Sugiyama, Hiroyuki
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Kuwahara, Eiji
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Watanabe, Rie
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Kusai, Haruka
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Kashino, Yoko
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Kubozono, Yoshihiro
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発行日
2005-7
出版物タイトル
Applied Physics Letters
巻
87巻
号
2号
資料タイプ
学術雑誌論文